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台湾《中国时报》:长沙打造半导体集成电路研发基地 将实现年产值120亿元
向一鹏 何清隆 发布时间:2020年07月27日 09:15
向一鹏 何清隆 2020年07月27日 09:15

  中新社长沙7月20日电 (向一鹏 何清隆)三安光电第三代半导体集成电路研发及产业化基地20日在长沙高新技术开发区开工,项目建成达产后预计可实现年产值120亿元(人民币,下同)。

  第三代半导体材料及器件已成为当前全球半导体材料产业的前沿和制高点之一,并引发了新一代科技变革。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体成熟商用材料,在新能源汽车、5G、智能电网、半导体照明等领域具有重要的应用价值。

  据悉,上述项目总占地面积1000亩,总投资160亿元,主要建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地,预计2年内完成一期项目建设并实现投产,6年内实现达产。建成达产后将带动上下游配套产业产值超1000亿元,创造1.2万个就业岗位。

  “第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求,我们着力解决芯片材料、设计、制造、封测、模块等领域存在受制于人及‘卡脖子’问题。”三安光电股份有限公司总经理林科闯介绍,公司将打造具备世界影响力的半导体集成电路研发和产业化基地。

  去年9月,长沙市人民政府办公厅印发《长沙市加快新一代半导体和集成电路产业发展若干政策》,从资金、技术、人才等10多个方面重点支持集成电路设计和设备、第三代半导体、功率半导体器件及集成电路的行业融合应用。如:设立规模为3亿元的产业发展专项资金,重点支持企业研发创新、市场拓展及重大项目引进等。

  长沙市人民政府市长郑建新表示,三安光电第三代半导体项目作为长沙17个制造业标志性重点项目之一,将建设形成长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装的碳化硅全产业链,必将成为推动长沙新一代半导体及集成电路产业链发展的重大动力。(完)

  刊于7月21日台湾《中国时报》

【编辑:黄诗立】
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